FCMT180N65S3 onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: SuperFET® III
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 139W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: Power88
Verpackung / Koffer: 4-PowerTSFN
Basisproduktnummer: FCMT180