NTHD4P02FT1G onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.2A (Tj)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V
FET-Funktion: Schottky Diode (Isolated)
Verlustleistung (max.): 1.1W (Tj)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: ChipFET??