NTD4860NA-1G onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 10.4A (Ta), 65A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 21.8 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1308 pF @ 12 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.28W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: I-PAK
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basisproduktnummer: NTD48