RFP12N10L onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Vgs (Max): ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 60W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220-3
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: RFP12N10