FQT1N80TF-WS onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: QFET®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 800 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 200mA (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.1W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-223-3
Verpackung / Koffer: TO-261-3
Basisproduktnummer: FQT1N80