FDT1600N10ALZ onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: PowerTrench®
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 100 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3.77 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 10.42W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-223-4
Verpackung / Koffer: TO-261-4, TO-261AA
Basisproduktnummer: FDT1600