NP33N06YDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 33A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 97W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-HSON
Verpackung / Koffer: 8-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Basisproduktnummer: NP33N06