UPA2814T1S-E2-AT Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 24A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 24A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-HWSON (3.3x3.3)
Verpackung / Koffer: 8-PowerWDFN
Basisproduktnummer: UPA2814