NTD65N03R onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9.5A (Ta), 32A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DPAK
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: NTD65