2SK1317-E Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 100W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-3P
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Basisproduktnummer: 2SK1317