RJK5002DPD-00#J2 Renesas Electronics Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 500 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 30W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: MP-3A
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: RJK5002