STW21N65M5 STMicroelectronics Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: MDmesh??V
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 650 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 125W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-3
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: STW21N