STH12N120K5-2 STMicroelectronics Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: MDmesh??K5
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 44.2 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1370 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 250W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: H2Pak-2
Verpackung / Koffer: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basisproduktnummer: STH12