STP80N6F6 STMicroelectronics Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: DeepGATE?? STripFET??VI
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 7480 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 120W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Grad: Automotive
Qualifikation: AEC-Q101
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: STP80N