SCT10N120 STMicroelectronics Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 12A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 20 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 150W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: HiP247??