STP18NM60ND STMicroelectronics Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: FDmesh??II
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 13A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 110W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: STP18