STL3NM60N STMicroelectronics Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: MDmesh??II
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 650mA (Ta), 2.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 188 pF @ 50 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2W (Ta), 22W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PowerFlat??(3.3x3.3)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: STL3NM60