SCTWA30N120 STMicroelectronics Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 45A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA (Typ)
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 20 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 400 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 270W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: HiP247??Long Leads
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: SCTWA30