STFI12N60M2 STMicroelectronics Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: MDmesh??M2
Paket: Tube
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 538 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 25W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: I2PAKFP (TO-281)
Verpackung / Koffer: TO-262-3 Full Pack, I²Pak
Basisproduktnummer: STFI12N