STP180N4F6 STMicroelectronics Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: STMicroelectronics
Serie: STripFET??F6
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: -
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Vgs (Max): ±20V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 190W (Tc)
Betriebstemperatur: -
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: STP180