TPH6R004PL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIX-H
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 87A (Ta), 49A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 24.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.8W (Ta), 81W (Tc)
Betriebstemperatur: 175°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-SOP Advance (5x5)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: TPH6R004