SSM3K16FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: ?-MOSVI
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Vgs (Max): ±10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 9.3 pF @ 3 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 150mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: USM
Verpackung / Koffer: SC-70, SOT-323
Basisproduktnummer: SSM3K16