SSM6J771G,LF Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Verpackung / Koffer: 6-UFBGA, WLCSP
Basisproduktnummer: SSM6J771