SSM6K514NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIX-H
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 12A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 20 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.5W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-UDFNB (2x2)
Verpackung / Koffer: 6-WDFN Exposed Pad
Basisproduktnummer: SSM6K514