TK31V60W,LVQ Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: DTMOSIV
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 30.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 15.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 1.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 300 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 240W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 4-DFN-EP (8x8)
Verpackung / Koffer: 4-VSFN Exposed Pad
Basisproduktnummer: TK31V60