TK7A45DA(STA4,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: ?-MOSVII
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 450 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 6.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 35W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220SIS
Verpackung / Koffer: TO-220-3 Full Pack
Basisproduktnummer: TK7A45