SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 100mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: -
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 12.2 pF @ 3 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 150mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: VESM
Verpackung / Koffer: SOT-723
Basisproduktnummer: SSM3J35