SSM6H19NU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVII-H
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 1A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 4.2 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 6-UDFN (2x2)
Verpackung / Koffer: 6-UDFN Exposed Pad
Basisproduktnummer: SSM6H19