TK50P03M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI-H
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Obsolete
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 50A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 25.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 47W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: D-Pak
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Basisproduktnummer: TK50P03