TK5Q60W,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: DTMOSIV
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 5.4A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 270µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 300 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 60W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: I-Pak
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basisproduktnummer: TK5Q60