TK16E60W,S1VX Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: DTMOSIV
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 15.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 790µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 300 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 130W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-220
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: TK16E60