SSM3K329R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSIII
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 3.5A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 123 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23F
Verpackung / Koffer: SOT-23-3 Flat Leads
Basisproduktnummer: SSM3K329