TK39N60X,S1F Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: DTMOSIV-H
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 38.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1.9mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 300 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 270W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247
Verpackung / Koffer: TO-247-3
Basisproduktnummer: TK39N60