SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 330mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2 nC @ 4 V
Vgs (Max): ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 800mW (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: UFM
Verpackung / Koffer: 3-SMD, Flat Leads
Basisproduktnummer: SSM3J36