TSM2NB60CH C5G Taiwan Semiconductor Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 249 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 44W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-251 (IPAK)
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA