TPN22006NH,LQ Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVIII-H
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 6.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 700mW (Ta), 18W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: TPN22006