SSM3K357R,LF Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: ?-MOSV
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 650mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 12 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23F
Verpackung / Koffer: SOT-23-3 Flat Leads
Basisproduktnummer: SSM3K357