SSM3J168F,LF Toshiba Semiconductor and Storage Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Serie: U-MOSVI
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 400mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 3 nC @ 10 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 82 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.2W (Ta)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23-3
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basisproduktnummer: SSM3J168