TSM180N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 345 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 21W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PDFN (3.1x3.08)
Verpackung / Koffer: 8-PowerVDFN
Basisproduktnummer: TSM180