TSM1NB60CW RPG Taiwan Semiconductor Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 600 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 1A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 39W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-223
Verpackung / Koffer: TO-261-4, TO-261AA
Basisproduktnummer: TSM1NB60