TSM900N06CH X0G Taiwan Semiconductor Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 11A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 25W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-251 (IPAK)
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Basisproduktnummer: TSM900