TSM120N06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Taiwan Semiconductor Corporation
Serie: -
Paket: Tape & Reel (TR)
Produktstatus: Not For New Designs
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 54A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 36.5 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2116 pF @ 30 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 69W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: 8-PDFN (5x6)
Verpackung / Koffer: 8-PowerTDFN
Basisproduktnummer: TSM120