IPP120P04P4L03AKSA2 Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS®-P2
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 40 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 120A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 340µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 234 nC @ 10 V
Vgs (Max): +5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 15000 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 136W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO220-3-1
Verpackung / Koffer: TO-220-3
Basisproduktnummer: IPP120