NTE491SM NTE Electronics, Inc Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: NTE Electronics, Inc
Serie: -
Paket: Bag
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 60 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 115mA (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 200mW (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: SOT-23
Verpackung / Koffer: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3