UF3C120080K4S Qorvo Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Qorvo
Serie: -
Paket: Tube
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: SiCFET (Cascode SiCJFET)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 33A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 12 V
Vgs (Max): ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 254.2W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TO-247-4
Verpackung / Koffer: TO-247-4
Basisproduktnummer: UF3C120080