BUK7230-55A/C1118 NXP USA Inc. Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: NXP USA Inc.
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 55 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 38A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1152 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 88W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: DPAK
Verpackung / Koffer: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63