IPU06N03LZG Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS??
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: N-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 25 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 50A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2783 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 83W (Tc)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ)
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: PG-TO251-3-21
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA