2SJ646-TL-E onsemi Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: onsemi
Serie: -
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 8A
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 10 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1W (Ta), 15W (Tc)
Betriebstemperatur: 150°C
Montageart: Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten: TP
Verpackung / Koffer: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA