BSO203SPNT Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS®
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 20 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 9A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 50.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max): ±12V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2265 pF @ 15 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 2.35W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-DSO-8
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)