BSO303SP Infineon Technologies Einzelne FETs MOSFETs

Hersteller: Infineon Technologies
Serie: OptiMOS® -P
Paket: Bulk
Produktstatus: Active
FET-Typ: P-Channel
Technologie: MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss): 30 V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C: 7.2A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Vgs (Max): ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2330 pF @ 25 V
FET-Funktion: -
Verlustleistung (max.): 1.56W (Ta)
Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
Montageart: Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten: PG-DSO-8-1
Verpackung / Koffer: 8-SOIC (0.154\ 3.90mm Width)